核心提示：堆叠技术POP清洗与元件堆叠技术POP的贴装介绍,当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块(MCM)，系统集成(SiP)封装，堆叠封装(PiP, PoP)发展，从而传统的装配等级越来越模糊，出现了半导体装配与传统电路板装配间的集成，如倒装晶片(Flip Chip)直接在终端产品装配。
今天小编为大家带来一篇关于堆叠技术POP清洗与元件堆叠技术POP的贴装介绍~
当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块(MCM)，系统集成(SiP)封装，堆叠封装(PiP, PoP)发展，从而传统的装配等级越来越模糊，出现了半导体装配与传统电路板装配间的集成，如倒装晶片(Flip Chip)直接在终端产品装配。半导体装配设备中的特征功能开始出现在多功能精细间距贴片机上，同时具有较高的精度，又有助焊剂应用的功能。可以说，元件堆叠技术是在业已成熟的倒装晶片装配技术上发展起来的。
自2003 年前元件堆叠技术大部分还只是应用在闪存及一些移动记忆卡中，2004 年开始出现了移动电话的逻辑运算单元和存储单元之间的堆叠装配。在此财政年度内整个堆叠技术市场的平均增长率达60%。预计到2009 年增长率达21%，其中移动电话对于堆叠装配技术的应用将占整个技术市场的17%, 3G 手机，MPEG4 将大量采用此技术。移动通信产品关键是要解决”带宽”的问题，通俗的讲就是高速处理信号的能力。这就需要新型的数字信号处理器，解决方案之一就是在逻辑控制器上放置一枚存储器(通常为动态存储器)，实现了小型化，功能也得以强化。而成熟的倒装晶片技术促成了这一技术大量应用的可能。基本上我们可以利用现有的SMT 现有的和下游资源及现成的物流供应链导入此技术进行大批量生产。
元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式( Wire Bonding), 堆叠层数可以从2 层到8 层。STMICRO 声称迄今厚度达40 微米的芯片可以从两个堆叠到八个(SRAM, flash, DRAM)，40 微米的芯片堆叠8 个总厚度为1.6mm，堆叠两个厚度为0.8mm。器件内置器件(PiP, Package in Package), 封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上,同样的堆叠通过金线再将两个堆叠之间的基板键合,然后整个封装成一个元件便是PiP(器件内置器件)。PiP 封装的外形高度较低，可以采用标准的SMT 电路板装配工艺，单个器件的装配成本较低。但由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高(封装良率问题)，而且事先需要确定存储器结构，器件只能由设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。元件堆叠装配(PoP, Package on Package), 在底部元器件上面再放置元器件，逻辑+存储通常为2到4 层，存储型PoP 可达8 层。外形高度会稍微高些，但是装配前各个器件可以单独测试，保障了更高的良品率，总的堆叠装配成本可降至z低。器件的组合可以由终端使用者自由选择， 对于3G 移动电话，数码相机等这是优选装配方案。
堆叠封装PoP清洗
PoP堆叠芯片清洗：PoP堆叠芯片/Sip系统级封装在mm级别间距进行焊接，助焊剂作用后留下的活性剂等吸湿性物质，较小的层间距如存有少量的吸湿性活性剂足以占据相对较大的芯片空间，影响芯片可靠性。要将有限的空间里将残留物带离清除，清洗剂需要具备较低的表面张力渗入层间芯片，达到将残留带离的目的。合明科技研发的清洗剂具有卓/越的渗入能力，以确保芯片间残留活性剂被彻底清除。
合明科技为您提供PoP堆叠芯片水基清洗全工艺解决方案。
针对先进封装产品芯片焊后封装前，基板载板焊盘、电子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，合明科技的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多（测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。
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